Az amerikai hegemóniának véget vethet a kínai mérnökök által kifejlesztett új technológia.

Kína félvezetőipara az elmúlt évek egyik legjelentősebb technológiai mérföldkövéhez érkezhetett. A Reuters értesülései szerint az ország kifejlesztette első saját EUV (extrém ultraibolya) litográfiai prototípusát, amely – bár még nem gyártott működő chipet – elméletben már képes UV-fény előállítására a wafer-maratási folyamatokhoz.

Az EUV-technológia kulcsszerepet játszik a modern, csúcskategóriás félvezetők gyártásában, és eddig gyakorlatilag az ASML monopóliumának számított. A holland vállalat gépei nélkül a 7 nm alatti gyártástechnológia elérése rendkívül nehéz, Kína pedig az amerikai exportkorlátozások miatt évek óta nem fér hozzá ezekhez a berendezésekhez.

Évek munkája hozott áttörést

Peking hosszú ideje próbál áttörést elérni az EUV területén. Olyan kínai vállalatok, mint az SMIC, különféle módszerekkel – többek között visszafejtéssel és külföldi szakemberek elcsábításával – igyekeztek közelebb kerülni az ASML technológiájához. A Reuters jelentése szerint ezek az erőfeszítések most kezdhetnek kézzelfogható eredményt hozni.

A források szerint a prototípus régebbi ASML-gépek alkatrészeire támaszkodik, ami azt mutatja, hogy Kína még nem teljesen önálló ezen a területen. Ennek ellenére az, hogy ilyen rövid idő alatt működőképes EUV-rendszert tudtak összeállítani, az iparági szereplők számára is meglepő fejlemény.

Korábban jöhet az áttörés, mint várták

Áprilisban Christophe Fouquet, az ASML vezérigazgatója még úgy nyilatkozott, hogy Kínának „sok-sok évre” lenne szüksége egy ilyen technológia kifejlesztéséhez. A most napvilágra került prototípus azonban arra utal, hogy Kína évekkel közelebb lehet a félvezető-függetlenséghez, mint azt a korábbi elemzések feltételezték.

Bár az EUV-gép egyelőre nem gyártott chipet, iparági források szerint 2030 körül már kereskedelmi szinten is megjelenhet a kínai EUV-technológia. Ez jelentősen felgyorsíthatná az ország felzárkózását az Egyesült Államokhoz a félvezetőversenyben.

DUV-gépek és az 5 nm-es ambíciók

A fejlemény illeszkedik egy másik jelentős áttöréshez is: hírek szerint az SMIC már teszteli Kína első saját építésű DUV litográfiai gépét, amely akár 5 nm-es csíkszélesség elérését is lehetővé teheti. Ez különösen fontos annak fényében, hogy Kína jelenleg még nem rendelkezik teljes körű EUV-gyártási képességekkel.

AI-láz és hazai chipigény

A mesterséges intelligencia körüli globális verseny Kínában is jelentősen növelte az önállóan gyártott félvezetők iránti keresletet. Olyan vállalatok, mint a Huawei, az SMIC-kel együttműködve új gyártókapacitásokat építenek ki. Ennek egyik látványos példája a Kirin 9000S lapkakészlet, amelyet az SMIC 7 nm-es eljárásával gyártottak.

A Huawei és az SMIC közös törekvései az N+3 gyártástechnológiában is testet öltenek, amelyet sokan a mainstream 5 nm-es eljárások alternatívájaként emlegetnek – igaz, ez a megoldás részben Kína technológiai korlátai miatt született.

Sok a kérdés, de a jelentőség vitathatatlan

Egyelőre még nem ismert, pontosan milyen technológiát alkalmaztak a kínai mérnökök az EUV-prototípusban, különösen a fényforrás és más kritikus paraméterek tekintetében. Az viszont egyértelmű, hogy a fejlesztés komoly stratégiai jelentőséggel bír, és új szakaszt nyithat Kína félvezetőipari törekvéseiben.